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AOD409(UMW)
1个P沟道 耐压:60V 电流:26A
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- 描述
- 特性：使用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻、低栅极电荷和低栅极电阻。 采用TO-252封装，具有出色的热阻，适用于高电流负载应用。 VDS =-60V。 ID =-26A（VGS = 10V）。 RDS(ON) < 48mΩ（VGS = 10V）。 RDS(ON) < 55mΩ（VGS = 4.5V）
- 品牌名称
- UMW(友台半导体)
- 商品型号
- AOD409(UMW)
- 商品编号
- C7471849
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.47472克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 26A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 32mΩ@10V；43mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 60W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.9V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 44nC@10V；22.2nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.977nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 153pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 241pF |