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SPD30P06PG(UMW)实物图
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SPD30P06PG(UMW)

P沟道 耐压:60V 电流:30A

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描述
特性:VDS(V)=-60V。 ID =-30A(VGS =-10V)。 RDS(ON) = 75mΩ(VGS =-10V)。 P-Channel。 Enhancement mode。 Avalanche rated。 dv/dt rated。 175℃ operating temperature
商品型号
SPD30P06PG(UMW)
商品编号
C7471850
商品封装
TO-252​
包装方式
编带
商品毛重
0.47044克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)30A
导通电阻(RDS(on))69mΩ@10V
耗散功率(Pd)125W
阈值电压(Vgs(th))3V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)32nC@10V
输入电容(Ciss)1.228nF
反向传输电容(Crss)142pF
工作温度-55℃~+175℃
类型P沟道
输出电容(Coss)387pF

商品特性

  • VDS(V) = -60V
  • ID = -30A
  • RDS(ON) = 75mΩ (VGS = -10V)
  • P沟道
  • 增强型模式
  • 雪崩额定
  • dv/dt额定
  • 175°C工作温度

数据手册PDF