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STD35P6LLF6(UMW)
1个P沟道 耐压:60V 电流:35A
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- 描述
- 特性：VDS(V)=-60V。 RDS(ON)<27mΩ(VGS =-10V)。 RDS(ON)<35mΩ(VGS =-4.5V)。 极低导通电阻。 极低栅极电荷。 高雪崩耐用性。应用：开关应用
- 品牌名称
- UMW(友台半导体)
- 商品型号
- STD35P6LLF6(UMW)
- 商品编号
- C7471851
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.48132克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 35A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ@10V；30mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 70W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC | |
| 输入电容(Ciss) | 3.78nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 170pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 262pF |
优惠活动
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