温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
NTD2955T4G(UMW)
耐压:60V 电流:12A
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- MOS
- 品牌名称
- UMW(友台半导体)
- 商品型号
- NTD2955T4G(UMW)
- 商品编号
- C7472425
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.47492克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 150mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 55W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 750pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 150pF |
商品概述
这款功率MOSFET设计用于在雪崩和换向模式下承受高能量。它专为电源、转换器和动力电机控制中的低压、高速开关应用而设计，特别适用于对二极管速度和换向安全工作区要求严格的桥式电路，并能为意外电压瞬变提供额外的安全裕度。
商品特性
- VDS(V) = -60V
- ID = -20A
- RDS(ON) = 53mΩ
- 规定了雪崩能量
- 在高温下规定了IDSS和VDS(ON)
- 专为低压、高速开关应用设计，能在雪崩和换向模式下承受高能量