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SDH21263TR

250V半桥MOSFET/IGBT栅极驱动器

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描述: 单相,高低边栅极驱动器,MOSFETs或IGBTs预驱
品牌名称: JSMSEMI(杰盛微)
商品型号: SDH21263TR
商品编号: C7466375
商品封装: SOP-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.1106克(g)

商品参数

商品概述

SDH21263是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力和防直通的死区逻辑。其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达250V。采用SOP-8封装，可以在-40℃至125℃温度范围内工作。另外，SDH21263的高侧与低侧均包含有欠压保护功能。

商品特性

自举工作的浮地通道
兼容3.3V、5V和15V输入逻辑
dVs/dt耐受能力可达±50V/ns
Vs负偏压能力达-9V
栅极驱动电压从5V到20V
集成欠压锁定电路 -- 欠压锁定正向阈值4.4V -- 欠压锁定负向阈值4.2V
防直通死区逻辑 -- 死区时间设定200ns
芯片传输延时特性 -- 开通/关断传输延时Ton/Toff = 150ns/140ns -- 延迟匹配时间50ns
宽温度范围 - -40°C~125°C
输出级拉电流/灌电流能力1.2A/1.5A
符合RoSH标准SOIC8 (S)

应用领域

电机控制
空调/洗衣机
通用逆变器
微型逆变器驱动

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(4000个/圆盘，最小起订量 5 个)

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	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	高边；低边
	负载类型	MOSFET
	驱动通道数	2
	灌电流(IOL)	1.5A
	拉电流(IOH)	1.2A

	属性	参数值
	工作电压	9V~20V
	上升时间(tr)	50ns
	下降时间(tf)	40ns
	特性	欠压保护(UVP)
	工作温度	-40℃~+125℃
	静态电流(Iq)	190uA