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NCE0106R-VB
1个N沟道 耐压:100V 电流:5A
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道型器件，采用Trench工艺制造，适用于低功率电源模块、汽车电子、智能家居等领域。SOT223；N—Channel沟道,100V；5A；RDS(ON)=100mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~3V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- NCE0106R-VB
- 商品编号
- C7463533
- 商品封装
- SOT223-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1525克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | - | |
| 功率(Pd) | 3.3W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 3V@250uA | |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 27nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 18pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss@Vds) | 5.3pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |