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WTM80N65FMP
1个N沟道 耐压:650V 电流:80A
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- 描述
- 这款功率MOSFET采用先进的超结技术制造。这项先进技术经过专门设计，可最大程度降低导通损耗，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合用于AC/DC电源转换
- 品牌名称
- WPMtek(维攀)
- 商品型号
- WTM80N65FMP
- 商品编号
- C7436943
- 商品封装
- TO-247-3L
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 6.58克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 36mΩ@10V,28A | |
| 耗散功率(Pd) | 355W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 142nC@40V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.018nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 33pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 输出电容(Coss) | 245pF |
商品概述
这款功率MOSFET采用先进的超结技术制造。这项先进技术经过专门设计，可最大限度地降低导通损耗，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合用于AC/DC电源转换。
商品特性
- 80A、650V，RDS(on)典型值 = 36mΩ（VGS = 10V时）
- 低栅极电荷（典型值142nC）
- 高耐用性
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
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