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9N90G-T47-T
9.0A,900V N沟道功率MOSFET
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- 描述
- 是N沟道增强型MOSFET，采用先进技术，为客户提供完美的导通电阻、高开关速度、高电流容量和低栅极电荷。普遍应用于低电压领域，如汽车、AC/DC转换器的高效开关和直流电机控制等。
- 品牌名称
- UTC(友顺)
- 商品型号
- 9N90G-T47-T
- 商品编号
- C7435187
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.396667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 900V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.4Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 220W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.2pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 160pF |
商品概述
UTC 9N90-FC是一款N沟道增强型MOSFET，采用先进技术，为客户提供出色的RDS(ON)、高开关速度、高电流承载能力和低栅极电荷。 UTC 9N90-FC广泛应用于低电压领域，如汽车应用、AC/DC转换器的高效开关以及直流电机控制等。
商品特性
- RDS(ON) ≤ 1.4 Ω @ VGS = 10V, ID = 4.5A
- 低反向传输电容
- 快速开关能力
- 规定雪崩能量
- 改善dv/dt能力,高耐用性
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