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UT30N06G
30A,60V N沟道功率MOSFET
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- 描述
- 是N沟道增强型MOSFET，采用先进技术，可提供完美的导通电阻和高开关速度。适用于所有功率耗散水平约为50瓦的商业和工业应用等。
- 品牌名称
- UTC(友顺)
- 商品型号
- UT30N06G
- 商品编号
- C7435180
- 商品封装
- PDNFN5x6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.17875克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 35mΩ@4.5V；25mΩ@10V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 29nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.02nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 101pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 118pF |
商品概述
UTC UT30N06是一款N沟道增强型MOSFET，采用UTC先进技术，为客户提供出色的RDS(ON)和高开关速度。 UTC UT30N06适用于所有功率耗散水平约达50 W的商业 - 工业应用等。
商品特性
- 在VGS = 10 V、ID = 15 A条件下,RDS(ON) ≤ 25 mΩ
- 在VGS = 4.5 V、ID = 15 A条件下,RDS(ON) ≤ 35 mΩ
- 高开关速度
- TO - 263封装
- TO - 252封装
- TO - 220封装
- SOP - 8封装
- PDFN5×6封装
- PDFN3×3封装
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