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TNM3020JX
N沟道沟槽型功率MOSFET
- 描述
- TNM3020J采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
- 品牌名称
- 晶扬电子
- 商品型号
- TNM3020JX
- 商品编号
- C7434077
- 商品封装
- DFN2x2-6L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.042433克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 23mΩ@2.5V；18mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 500mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 500pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 140pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 300pF |
优惠活动
购买数量
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