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3415
1个P沟道 耐压:20V 电流:4.1A
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- 描述
- 3415 是高单元密度的沟槽式 P 沟道 MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。3415 符合 RoHS 标准和绿色产品要求，且通过了全功能可靠性认证。
- 品牌名称
- HL(富海微)
- 商品型号
- 3415
- 商品编号
- C7431444
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0369克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@4.5V,4.1A | |
| 耗散功率(Pd) | 1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8.8nC | |
| 输入电容(Ciss) | 830pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 85pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
4435B是高单元密度沟槽式P沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。4435B符合RoHS标准和绿色产品要求。
商品特性
- 提供绿色环保器件
- 超低栅极电荷
- 出色的dv/dt效应抑制
- 先进的高单元密度沟槽技术