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2N7002K
N沟道,电流:300mA,耐压:60V
- 描述
- 特性：超低栅极电荷。 有环保器件可供选择。 出色的Cdv/dt效应衰减。 先进的高单元密度沟槽技术。应用：电池保护。 负载开关
- 品牌名称
- HL(富海微)
- 商品型号
- 2N7002K
- 商品编号
- C7431449
- 商品封装
- SOT23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0364克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 300mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.9Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.7nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 28pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 11pF |
商品概述
IRF530采用先进的沟槽技术，可实现出色的RDS(ON)和低栅极电荷。它可用于多种应用场景。
商品特性
- VDS = 100V，ID = 15A
- 当VGS = 10V时，RDS(ON) < 90mΩ；当VGS = 4.5V时，RDS(ON) < 115mΩ
- 高密度单元设计，可降低Rdson
- 雪崩电压和电流特性完全表征
- 具有高EAS，稳定性和一致性良好
- 采用散热性能良好的封装
- 100%经过UIS测试！
- 100%经过DVDS测试！
应用领域
- 功率开关应用
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源