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3400
1个N沟道 耐压:30V 电流:5.8A
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- 描述
- 3400 是高单元密度沟槽型 N 沟道 MOSFET，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和效率。3400 符合 RoHS 标准和绿色产品要求，且通过了全功能可靠性认证。
- 品牌名称
- HL(富海微)
- 商品型号
- 3400
- 商品编号
- C7431445
- 商品封装
- SOT23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.037167克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 36mΩ@2.5V,3A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.3W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9.1nC | |
| 输入电容(Ciss) | 507pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 43pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
P沟道增强型场效应晶体管
商品特性
- 漏源电压（VDS）：-30 V
- 漏极电流（ID）：-3.0 A
- 漏源导通电阻（RDS(ON)）（栅源电压（VGS） = -10 V时）< 85 欧姆
- 漏源导通电阻（RDS(ON)）（栅源电压（VGS） = -4.5 V时）< 105 欧姆
- 沟槽式低压功率MOSFET技术
- 用于降低漏源导通电阻（RDS(ON)）的高密度单元设计
- 高速开关
应用领域
- 脉冲宽度调制（PWM）应用
- 负载开关
- 电源管理