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4435B
1个P沟道 耐压:30V 电流:10A
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- 描述
- 4435B是高单元密度的沟槽式P沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。4435B符合RoHS标准和绿色产品要求。
- 品牌名称
- HL(富海微)
- 商品型号
- 4435B
- 商品编号
- C7431441
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.202233克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@10V,9A | |
| 耗散功率(Pd) | 3.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 42nC | |
| 输入电容(Ciss) | 900pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 109pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
AGM15T06F将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，以提供极低的RDS(ON)。 该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 低RDS(ON)，以最大限度降低传导损耗
- 低栅极电荷，实现快速开关
- 低热阻
- 100%雪崩测试
- 100% DVDS测试
应用领域
- 主板/显卡核心电压
- 开关电源二次同步整流器
- 负载点应用
- 无刷直流电机驱动器