温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
AGM10N65F
1个N沟道 耐压:650V 电流:10A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- AGM10N65F将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
- 品牌名称
- AGMSEMI(芯控源)
- 商品型号
- AGM10N65F
- 商品编号
- C7431155
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.181克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 770mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 65W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 48nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.702nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4.3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 127pF |
商品概述
SOT23-3 塑封封装的 N 沟道 MOS 场效应管。
商品特性
- 漏源极电压（V） = 30V
- 漏极电流 = 5.5A（栅源极电压 = 20V）
- 导通状态漏源极电阻 < 31mΩ（栅源极电压 = 10V）
- 导通状态漏源极电阻 < 43mΩ（栅源极电压 = 4.5V）
- 无卤产品
应用领域
- 适用于作为负载开关或用于脉宽调制应用。
- 该器件适用于作为负载开关或用于脉宽调制应用。