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AGM7N65F
1个N沟道 耐压:650V 电流:7A
- 描述
- AGM7N65F 将先进的沟槽 MOSFET 技术与低电阻封装相结合，可实现极低的 RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
- 品牌名称
- AGMSEMI(芯控源)
- 商品型号
- AGM7N65F
- 商品编号
- C7431161
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.162克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.1Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 97W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 32nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.101nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5.3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 98pF |
商品概述
MD200N08采用先进的技术和设计，可提供出色的导通电阻RDS(ON)，适用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压VDS = 80 V，漏极电流ID = 200 A，当栅源电压VGS = 10 V时，导通电阻RDS(ON) < 4 mΩ
- 高密度单元设计，降低导通电阻Rdson
- 雪崩电压和电流特性完全表征
- 高单脉冲雪崩能量EAS，稳定性和一致性良好
- 采用优秀封装，散热性能良好
应用领域
- 功率开关应用
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源