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AGM3015H
1个N沟道 耐压:30V 电流:138A
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- 描述
- AGM3015H将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
- 品牌名称
- AGMSEMI(芯控源)
- 商品型号
- AGM3015H
- 商品编号
- C7431167
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.685克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 138A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.5mΩ@10V,12A | |
| 耗散功率(Pd) | 58W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 115nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.536nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 461pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
IRFZ44N采用先进的沟槽技术，可实现出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。它可用于多种应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = 60 V，漏极电流ID = 60 A
- 在栅源电压VGS = 10 V时，导通电阻RDS(ON) < 15 mΩ
- 高密度单元设计，可降低导通电阻Rdson
- 雪崩电压和电流特性完全表征
- 具有高单脉冲雪崩能量EAS，稳定性和一致性良好
- 采用散热性能出色的封装
- 100%进行了非钳位感性负载开关测试！
- 100%进行了漏源电压变化率测试！
应用领域
- 电源开关应用
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源