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AGM205D
1个N沟道 耐压:20V 电流:100A
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- 描述
- AGM205D将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
- 品牌名称
- AGMSEMI(芯控源)
- 商品型号
- AGM205D
- 商品编号
- C7431156
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.379克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 58W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 38nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.62nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 294pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 338pF |
商品特性
- 非钳位电感开关（UIS）额定
- 低封装电感
- 易于驱动和保护
- N沟道增强型
- 快速本征整流器
- 雪崩额定
- 低导通电阻RDS(on)和栅极电荷QG
- 配备Plus 264TM封装，适用于夹装或弹簧安装
- 节省空间
- 高功率密度
应用领域
- 开关模式和谐振模式电源-DC-DC转换器-激光驱动器-交流和直流电机控制-机器人技术和伺服控制