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IRF630N
1个N沟道 耐压:200V 电流:9A
- 描述
- IRF630N是一款采用先进MOSFET技术制造的硅N沟道增强型MOSFET，该技术可降低传导损耗、改善开关性能并提高雪崩能量。这款晶体管适用于开关电源（SMPS）、高速开关及通用应用领域。
- 品牌名称
- minos(迈诺斯)
- 商品型号
- IRF630N
- 商品编号
- C7429901
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.7629克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 260mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 75W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC | |
| 输入电容(Ciss) | 550pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8.6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 90pF |
商品概述
PDFN 3×3 A-8L 塑封封装 N 沟道 MOS 场效应管。 PDFN 3×3 A-8L 塑封封装的 N 沟道增强型场效应晶体管。
商品特性
- 漏源电压（V）= 30V
- 漏极电流 = 40A（栅源电压 = ±20V）
- 10V 时的导通电阻 ≤ 6mΩ（典型值 4.7mΩ）
- 无卤产品。
应用领域
- 用于高功率 DC/DC 转换和功率开关。
- 这些器件非常适合高效开关型 DC/DC 转换器和开关电源。