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IRF640
1个N沟道 耐压:200V 电流:18A
- 描述
- IRF640是一款采用先进MOSFET技术制造的硅N沟道增强型MOSFET，该技术可降低导通损耗、改善开关性能并提高雪崩能量。这款晶体管适用于开关电源、高速开关及通用应用。
- 品牌名称
- minos(迈诺斯)
- 商品型号
- IRF640
- 商品编号
- C7429903
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.7328克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 160mΩ@10V,7.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 130W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 23nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.32nF@0V | |
| 反向传输电容(Crss) | 130pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
- SOT-23塑封封装的N沟道场效应管。
- SOT-23塑封封装的N沟道MOSFET。
商品特性
- RDS(ON)导通电阻小
- SOT-23封装
- 无卤产品
- RDS(ON)低
- SOT-23封装
- 无卤产品
应用领域
- 电池管理-高速开关-低功率DC-DC转换-电池管理-高速开关-低功率DC-DC转换器