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MPG15N10P
1个N沟道 耐压:100V 电流:15A
- 描述
- MPG15N10P采用先进的沟槽技术，具备出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。它可应用于多种领域。
- 品牌名称
- minos(迈诺斯)
- 商品型号
- MPG15N10P
- 商品编号
- C7429905
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.6796克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 80mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 31W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 680pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 85pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 110pF |
商品概述
MPG15N10P采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷，适用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压 (VDS) = 100 V，漏极电流 (ID) = 15 A
- 栅源电压 (VGS) = 10 V时，导通状态下的漏源电阻 (RDS(ON)) < 90 mΩ；VGS = 4.5 V时，RDS(ON) < 115 mΩ
- 高密度单元设计，降低导通电阻
- 雪崩电压和电流特性完全表征
- 具有高单脉冲雪崩能量，稳定性和一致性好
- 采用散热性能良好的封装
- 100%进行非钳位感性负载开关测试！
- 100%进行漏源电压变化率测试！
应用领域
- 功率开关应用
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源
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