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NCE50TD120VT
1200V、50A，第二代场截止型沟槽式快速IGBT
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- 描述
- 采用专有沟槽设计和先进的FS（场截止）第二代技术，1200V沟槽FSII IGBT具有卓越的导通和开关性能，易于并联操作。
- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 商品型号
- NCE50TD120VT
- 商品编号
- C7429722
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.2kV | |
| 集电极电流(Ic) | 100A | |
| 耗散功率(Pd) | 535W | |
| 输出电容(Coes) | 220pF | |
| 正向脉冲电流(Ifm) | 200A | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.95V@50A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 4.5V@1mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 370nC@15V | |
| 输入电容(Cies) | 6.98nF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 19ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 170ns | |
| 导通损耗(Eon) | 2.6mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 1.7mJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 150ns | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 反向传输电容(Cres) | 167pF |