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FDD10AN06A0-VB
1个N沟道 耐压:60V 电流:58A
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N型场效应晶体管，采用Trench工艺，具有较低的导通电阻和较高的性能，适用于各种中等功率的电源管理和驱动应用，为相关领域提供了可靠的解决方案。TO252；N—Channel沟道,60V；58A；RDS(ON)=10mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- FDD10AN06A0-VB
- 商品编号
- C7428954
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.389克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 58A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 136W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 47nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.65nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 225pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 470pF |
商品概述
CS10N50F A9R是采用自对准平面技术制造的硅N沟道增强型垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管（VDMOSFET），该技术可降低导通损耗、改善开关性能并提高雪崩能量。该晶体管可用于各种功率开关电路，以实现系统小型化和更高效率。其封装形式为TO - 220F，符合RoHS标准。
商品特性
- 快速开关
- 低导通电阻（Rdson ≤ 0.75Ω）
- 低栅极电荷（典型数据：32nC）
- 低反向传输电容（典型值：8.4pF）
- 100%单脉冲雪崩能量测试
应用领域
- 适配器和充电器的功率开关电路。