温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 500mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 40W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 32nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 快速开关
- 低导通电阻(Rdson ≤ 0.75Ω)
- 低栅极电荷(典型数据:32nC)
- 低反向传输电容(典型值:8.4pF)
- 100%单脉冲雪崩能量测试
应用领域
-适配器和充电器的功率开关电路。