温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
2N7002K
1个N沟道 耐压:60V 电流:340mA
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 特性：ESD保护。 先进的沟槽工艺技术。 高密度单元设计，实现超低导通电阻。 关断状态下漏电流极低。 符合欧盟RoHS 2002/95/EC指令。 无卤。应用：专为电池供电系统、固态继电器驱动器、继电器、显示器、灯具、螺线管、存储器等设计
- 品牌名称
- FUXINSEMI(富芯森美)
- 商品型号
- 2N7002K
- 商品编号
- C784615
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.033克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 340mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 40pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF | |
| 工作温度 | - | |
| 输出电容(Coss) | 30pF |
商品特性
- 静电放电(ESD)保护
- 先进沟槽工艺技术
- 采用高密度单元设计实现超低导通电阻
- 关断状态下漏电流极低
- 符合欧盟 RoHS 2002/95/EC 指令
- 无卤素
应用领域
-专为电池供电系统、固态继电器驱动器、继电器、显示器、灯具、螺线管、存储器等设计。