温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 33.7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.614nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 215pF | |
| 工作温度 | - |
商品概述
-低漏源导通电阻(RDS(ON))-符合RoHS标准且无卤
商品特性
- VDS = 30 V \quad ID = 100 A
- RDS(ON) = 4.5 m Ω(典型值),VGS = 10 V
- 100% 进行了单脉冲雪崩耐量(UIS)测试
- 100% 进行了栅极电阻(Rg)测试
应用领域
-负载开关-脉冲宽度调制(PWM)