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TMN3023DF
N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 低RDS(ON)，符合RoHS和无卤标准
- 品牌名称
- TMC(台懋)
- 商品型号
- TMN3023DF
- 商品编号
- C7422929
- 商品封装
- DFN-8(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0732克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 23A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16mΩ@10V,8A | |
| 耗散功率(Pd) | 17.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 415pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 70pF |
商品概述
- 低导通电阻RDS(ON)-符合RoHS标准且无卤
商品特性
- 100%经过单脉冲雪崩耐量（UIS）测试
- 100%经过栅极电阻（Rg）测试
应用领域
- 负载开关-脉冲宽度调制(PWM)