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TM50P02AD
P沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 低RDS(ON)。RoHS和无卤合规
- 品牌名称
- TMC(台懋)
- 商品型号
- TM50P02AD
- 商品编号
- C7422869
- 商品封装
- TO-252-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.413012克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 48A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13mΩ@4.5V,48A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 3.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 500mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@4.5V | |
| 反向传输电容(Crss) | 290pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
-低导通电阻RDS(ON)-符合RoHS标准且无卤
商品特性
- 漏源电压VDS = -20V，漏极电流ID = -48A
- 栅源电压VGS = -4.5V时，导通电阻RDS(ON) = 13mΩ（典型值）
- 100%进行非钳位感性负载开关（UIS）测试
- 100%进行栅极电阻Rg测试
- 绿色环保产品
应用领域
-负载开关-脉冲宽度调制(PWM)