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W958D8NBYA5I
256Mb HyperRAM存储器
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- 描述
- 特性：接口：HyperBus。 电源：1.7V~2.0V。 最大时钟频率：250MHz。 双倍数据速率（DDR）高达500MB/s
- 品牌名称
- Winbond(华邦)
- 商品型号
- W958D8NBYA5I
- 商品编号
- C7420405
- 商品封装
- TFBGA-24(6x8)
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 0.09克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 随机存取存储器(RAM) | |
| 存储容量 | 256Mbit | |
| 工作电压 | 1.7V~2V | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 时钟频率(fc) | 200MHz | |
| 待机电流 | 1.2mA | |
| 功能特性 | - |
商品概述
HyperBus是一种低信号数量的双倍数据速率（DDR）接口，可实现高速读写吞吐量。DDR协议在DQ输入/输出信号上每个时钟周期传输两个数据字节。HyperBus上的读写事务包括在内部HyperRAM阵列上进行一系列16位宽、一个时钟周期的数据传输，以及在DQ信号上进行两个相应的8位宽、半个时钟周期的数据传输。所有输入和输出均与LV - CMOS兼容。命令、地址和数据信息通过八个HyperBus DQ[7:0]信号传输。时钟（CK#，CK）用于HyperBus从设备在DQ信号上接收命令、地址或数据时进行信息捕获。命令或地址值与时钟跳变中心对齐。每个事务始于CS#和命令 - 地址（CA）信号的置位，随后是时钟跳变开始传输六个CA字节，接着是初始访问延迟和读写数据传输，直到CS#被释放。读写事务需要两个时钟周期来定义目标行地址和突发类型，然后是tACC的初始访问延迟。在事务的CA部分，内存将通过将RWDS信号驱动到高电平来指示是否在初始延迟中添加了所需刷新时间（tRFH）的额外延迟。在CA期间，第三个时钟周期将指定目标行内的目标字地址。在读写事务中，在输出（或输入）初始数据值之后，可以按环绕或线性顺序在后续时钟周期从行中读取（或写入）额外数据。当配置为线性突发模式时，设备将自动从内存阵列中获取下一个连续行以支持连续线性突发。在读写数据传输进行时同时访问阵列中的下一行，可实现线性顺序突发操作，可提供500 MB/s的持续数据速率（1字节（8位数据总线）×2（数据时钟边沿）×250 MHz = 500 MB/s）。
商品特性
- 接口：HyperBus
- 电源：1.7V ~ 2.0V
- 最大时钟速率：250MHz
- 双倍数据速率（DDR）高达500 MB/s
- 时钟：单端时钟（CK）、差分时钟（CK/CK#）
- 片选（CS#）
- 8位数据总线（DQ[7:0]）
- 硬件复位（RESET#）
- 读写数据选通（RWDS）
- 双向数据选通/掩码：在所有事务开始时输出以指示刷新延迟；在读取事务期间作为读取数据选通输出；在写入事务期间作为写入数据掩码输入
- 可配置输出驱动强度
- 节能模式：混合睡眠模式、深度掉电
- 可配置突发特性：线性突发、环绕突发长度（16字节（8个时钟）、32字节（16个时钟）、64字节（32个时钟）、128字节（64个时钟））、混合突发（一个环绕突发后跟线性突发）
- 阵列刷新模式：全阵列刷新、部分阵列刷新
- 支持封装：24球TFBGA
- 工作温度范围：-40°C ≤ TCASE ≤ 85°C