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SSM3J375F,LXHF
1个P沟道 耐压:20V 电流:2A
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- 描述
- 特性：AEC-Q101合格。 1.5-V驱动。 低漏源导通电阻：ΔRDS(ON) = 311 mΩ (最大值) (@VGS = -1.5 V)；RDS(ON) = 231 mΩ (最大值) (@VGS = -1.8 V)；RDS(ON) = 179 mΩ (最大值) (@VGS = -2.5 V)；RDS(ON) = 150 mΩ (最大值) (@VGS = -4.5 V)。应用：电源管理开关
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- SSM3J375F,LXHF
- 商品编号
- C7369984
- 商品封装
- TO-236-3(SOT-23-3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.061克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 150mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 600mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 4.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 270pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 32pF | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 40pF |
商品特性
- 符合AEC-Q101标准
- 1.5V驱动
- 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 311 mΩ(最大值)(VGS = -1.5V时)
- RDS(ON) = 231 mΩ(最大值)(VGS = -1.8V时)
- RDS(ON) = 179 mΩ(最大值)(VGS = -2.5V时)
- RDS(ON) = 150 mΩ(最大值)(VGS = -4.5V时)
应用领域
- 电源管理开关