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SSM3K62TU,LF
1个N沟道 耐压:20V 电流:800mA
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- 描述
- 特性：AEC-Q101合格。 1.2-V驱动。 低漏源导通电阻: -RDS(ON) = 43 mΩ（典型值）(VGS = 4.5V)。 -RDS(ON) = 50 mΩ（典型值）(VGS = 2.5V)。 -RDS(ON) = 60 mΩ（典型值）(VGS = 1.8V)。 -RDS(ON) = 70 mΩ（典型值）(VGS = 1.5V)。应用：电源管理开关。 DC-DC转换器
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- SSM3K62TU,LF
- 商品编号
- C7370008
- 商品封装
- 2-2U1A
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.06克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 800mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 57mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 2nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 177pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 17pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 52pF |
商品特性
- 沟道型场效应晶体管第四代功率 MOSFET
- 极低的栅极电荷（Qg）和输出电荷（Qoss）可降低功率损耗并提高效率
- 优化的 Qg、栅漏电荷（Qgd）以及 Qgd / 栅源电荷（Qgs）比可降低与开关相关的功率损耗
- 经过 100% 栅极电阻（Rg）和非钳位感性开关（UIS）测试
应用领域
- 同步整流
- 同步降压转换器
- 高功率密度直流/直流转换器
- 负载开关