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TW030N120C,S1F实物图
  • TW030N120C,S1F商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

TW030N120C,S1F

1个N沟道 耐压:1.2kV 电流:60A

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品牌名称
TOSHIBA(东芝)
商品型号
TW030N120C,S1F
商品编号
C7371622
商品封装
TO-247​
包装方式
管装
商品毛重
7.562克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)1.2kV
连续漏极电流(Id)60A
导通电阻(RDS(on))40mΩ@18V,30A
属性参数值
耗散功率(Pd)249W
阈值电压(Vgs(th))5V
栅极电荷量(Qg)82nC@18V
输入电容(Ciss)2.925nF@800V

商品特性

  • TrenchFET功率MOSFET
  • 最高结温175 °C
  • 出色的RDS - Qg和RDS - Qoss品质因数,降低导通和开关损耗,实现高效率
  • 100%进行Rg和UIS测试

应用领域

  • 电源
  • 次级同步整流
  • DC/DC转换器
  • 电动工具
  • 电机驱动开关
  • 电池管理

数据手册PDF