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LSGE15R085W3
1个N沟道 耐压:150V 电流:128A
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- 品牌名称
- LONTEN(龙腾半导体)
- 商品型号
- LSGE15R085W3
- 商品编号
- C779909
- 商品封装
- TO-263-2
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.018克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 128A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 227W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 63nC@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 4.127nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 512pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 150V、120A,在VGS = 10V时,RDS(ON)最大值 = 8.5mΩ
- 改善了dv/dt能力
- 快速开关
- 100%保证EAS
- 有环保型器件可供选择
应用领域
- 电机控制与驱动
- 电池管理
- 不间断电源(UPS)