1个N沟道 耐压:650V 电流:7A
- 1+: ¥2.68 / 个
- 10+: ¥2.39 / 个
- 30+: ¥2.25 / 个
- 100+: ¥2.11 / 个
- 500+: ¥2.02 / 个
- 1000+: ¥1.98 / 个 (折合1圆盘4950元)
1+: |
¥2.68 / 个 |
10+: |
¥2.39 / 个 |
30+: |
¥2.25 / 个 |
100+: |
¥2.11 / 个 |
500+: |
¥2.02 / 个 |
1000+: |
¥1.98 / 个 (折合1圆盘4950元) |
单击复制
单击复制
商品介绍
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 650V | |
连续漏极电流(Id) | 7A | |
功率(Pd) | - | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 550mΩ@10V,3.5A | |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 3.5V@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 13.1nC@0~10V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 481pF@100V | |
反向传输电容(Crss@Vds) | 1.15pF@100V | |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |