温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
LSD80R2K8GT
N沟道，800V、2A、2.8Ω功率MOSFET
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 采用先进的超结技术制造。由此产生的器件具有极低的导通电阻，特别适用于需要卓越功率密度和出色效率的应用。
- 品牌名称
- LONTEN(龙腾半导体)
- 商品型号
- LSD80R2K8GT
- 商品编号
- C779929
- 商品封装
- TO-220MF
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.86克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.2Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 34.2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 7.7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 238pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.47pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 8.78pF |
相似推荐
其他推荐