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LNDN10N65
1个N沟道 耐压:650V 电流:10A
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- 品牌名称
- LONTEN(龙腾半导体)
- 商品型号
- LNDN10N65
- 商品编号
- C779913
- 商品封装
- TO-220F-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.34克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 810mΩ@10V,5A | |
| 耗散功率(Pd) | 40W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 34.2nC@0~10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 1.622nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 6.8pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
该功率MOSFET采用先进的平面VDMOS技术制造。由此生产的器件具有低导通电阻、卓越的开关性能和高雪崩能量。
商品特性
- 低导通电阻RDS(on)
- 低栅极电荷(典型值Qg = 34.2 nC)
- 100%进行了非钳位感性负载开关测试(UIS)
- 符合RoHS标准
应用领域
- 功率因数校正
- 开关模式电源
- LED驱动器