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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

PJD11N06A_L2_00001

1个N沟道 耐压:60V 电流:11A 电流:3.7A

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品牌名称
PANJIT(强茂)
商品型号
PJD11N06A_L2_00001
商品编号
C7327866
商品封装
TO-252​
包装方式
编带
商品毛重
0.437克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)3.7A;11A
导通电阻(RDS(on))75mΩ@10V
耗散功率(Pd)2W;25W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2.5V
栅极电荷量(Qg)9.3nC@10V
输入电容(Ciss)509pF
反向传输电容(Crss)23pF
工作温度-55℃~+150℃

商品概述

该器件是一款采用第二代MDmesh技术开发的N沟道功率MOSFET。这款创新型功率MOSFET将垂直结构与该公司的条形布局相结合,实现了极低的导通电阻和栅极电荷。因此,它适用于要求极高的高效转换器。

商品特性

  • 当VGS为10 V、ID为6 A时,RDS(ON) < 75 mΩ
  • 当VGS为4.5 V、ID为3 A时,RDS(ON) < 90 mΩ
  • 高开关速度
  • 改善的dv/dt能力
  • 低栅极电荷
  • 低反向传输电容
  • 符合欧盟RoHS 2.0标准的无铅产品
  • 符合IEC 61249标准的绿色模塑料

应用领域

  • 开关应用

数据手册PDF