PJD14P06A-AU_L2_000A1
1个P沟道 耐压:60V 电流:3.2A 14A
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- 描述
- 特性:RDS(ON),VGS@-10V,ID@-6A < 110mΩ。 RDS(ON),VGS@-4.5V,ID@-3A < 130mΩ。 高开关速度。 改善的dv/dt能力。 低栅极电荷。 低反向传输电容。 通过AEC-Q101认证。 符合欧盟RoHS 2.0标准的无铅产品。 符合IEC 61249标准的绿色模塑料
- 品牌名称
- PANJIT(强茂)
- 商品型号
- PJD14P06A-AU_L2_000A1
- 商品编号
- C7327870
- 商品封装
- TO-252AA
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 14A;3.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 110mΩ@10V,6A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 2W;40W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 785pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
SuperMESH系列是对意法半导体(ST)成熟的基于条形的PowerMESH布局进行极致优化的成果。除了显著降低导通电阻外,还特别注重确保其在最严苛的应用中具备出色的dv/dt能力。
商品特性
- 极高的dv/dt能力
- 改进的静电放电(ESD)能力
- 100%雪崩测试
- 栅极电荷最小化
- 极低的本征电容
- 极佳的制造重复性
应用领域
- 大电流、高速开关-非常适合离线电源、适配器和功率因数校正(PFC)
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