PJP60R620E_T0_00001
1个N沟道 耐压:600V 电流:1.2A 电流:7A
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- 品牌名称
- PANJIT(强茂)
- 商品型号
- PJP60R620E_T0_00001
- 商品编号
- C7327901
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.718克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 620mΩ | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 21nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 457pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 62pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 配置 | - |
商品特性
- 当Vgs为10V、ID为20A时，RDS(ON) < 25mΩ
- 当VGS为4.5V、ID为15A时，RDS(ON) < 28.5mΩ
- 先进的沟槽工艺技术
- 高密度单元设计，实现超低导通电阻
- 符合欧盟RoHS 2011/65/EU指令的无铅产品
- 符合IEC61249标准的绿色模塑化合物（无卤）