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PJA3412-AU_R1_000A1
1个N沟道 耐压:20V
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- 描述
- 特性：RDS(ON)，VGS@4.5V，ID@4.1A < 56mΩ。 RDS(ON)，VGS@2.5V，ID@2.8A < 68mΩ。 RDS(ON)，VGS@1.8V，ID@1.5A < 95mΩ。 先进的沟槽工艺技术。 专为开关负载、PWM应用等设计。 通过AEC-Q101认证。 符合欧盟RoHS 2.0的无铅标准。 采用符合IEC 61249标准的绿色模塑料
- 品牌名称
- PANJIT(强茂)
- 商品型号
- PJA3412-AU_R1_000A1
- 商品编号
- C7327853
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.028克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 56mΩ | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 4.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 350pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 29pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 配置 | - |
商品概述
NP1045G采用独特优化的屏蔽栅沟槽技术，可提供高效的高频开关性能。由于极低的RDS(ON)和Qg组合，导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流。
商品特性
- VDS = 100 V，ID = 45 A
- RDS(ON)(典型值) = 14.0 mΩ @VGS=10V
- RDS(ON)(典型值) = 18.5 mΩ @VGS = 4.5 V
- 出色的栅极电荷x RDS(on)乘积（品质因数）
- 极低的导通电阻RDS(on)
- 工作温度150 °C
- 100%进行了非钳位感性开关（UIS）测试
应用领域
- DC/DC和AC/DC转换器中的同步整流
- 工业和电机驱动应用
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