NTE232
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 达林顿管 | |
| 类型 | PNP | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 30V | |
| 集电极电流(Ic) | 300mA | |
| 耗散功率(Pd) | 625mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 集电极截止电流(Icbo) | 100nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.5V | |
| 直流电流增益(hFE) | 50000 | |
| 特征频率(fT) | 125MHz | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
NTE232是一款采用TO92封装的硅平面外延钝化PNP达林顿晶体管，专为需要高阻抗的前置放大器输入应用而设计。