NTE262
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 达林顿管 | |
| 类型 | PNP | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 100V | |
| 直流电流增益(hFE) | 1000 | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 集电极电流(Ic) | 5A | |
| 集电极截止电流(Icbo) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 4V | |
| 工作温度 | -65℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
NTE261（NPN）和NTE262（PNP）是采用TO220封装的互补型硅达林顿功率晶体管，适用于通用放大器和低速开关应用。
商品特性
- 高直流电流增益：h_FE = 2500（典型值，I_C = 4A）
- 集电极 - 发射极维持电压：V_CEO(sus) = 100V（最小值，100mA）
- 低集电极 - 发射极饱和电压：
- V_CE(sat) = 2V（最大值，I_C = 3A）
- V_CE(sat) = 4V（最大值，I_C = 5A）
- 内置基极 - 发射极分流电阻的单片结构