商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 达林顿管 | |
| 类型 | PNP | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 100V | |
| 直流电流增益(hFE) | 750 | |
| 耗散功率(Pd) | 160W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 集电极电流(Ic) | 20A | |
| 集电极截止电流(Icbo) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 3V | |
| 工作温度 | -65℃~+200℃@(Tj) |
商品概述
NTE251（NPN）和 NTE252（PNP）是采用 TO3 型封装的硅互补达林顿晶体管，专为通用放大器和低频开关应用而设计。
商品特性
- 在 IC = 10A 时具有高直流电流增益：
- hFE = 典型值 2400（NTE251）
- hFE = 典型值 4000（NTE252）
- 集电极 - 发射极维持电压：VCEO(sus) 最小为 100V
- 采用单片结构，内置基极 - 发射极并联电阻