NTE2390
1个N沟道 耐压:60V 电流:12A
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- 品牌名称
- NTE Electronics
- 商品型号
- NTE2390
- 商品编号
- C7321871
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 200mΩ@10V,6A | |
| 耗散功率(Pd) | 75W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 26nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 400pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 100pF@25V | |
| 工作温度 | -65℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
NTE2390 是一款采用 TO220 封装的 N 沟道增强型功率 MOS 场效应晶体管，专为低压、高速功率开关应用而设计，如开关稳压器、转换器、螺线管和继电器驱动器。
商品特性
- 硅栅极，实现快速开关速度
- 规定了高温下的漏源极泄漏电流 (IDSS)、漏源极导通状态电压 (VDC(on))、栅源极阈值电压 (VGS(th)) 和安全工作区 (SOA)。
- 坚固耐用 - 安全工作区受功率耗散限制
- 源极 - 漏极二极管具备适用于感性负载的特性