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MT55L64L36P1T-10

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品牌名称: micron(镁光)
商品型号: MT55L64L36P1T-10
商品编号: C7235765
商品封装: TQFP-100(14x20.1)
包装方式: 袋装
商品毛重: 1克(g)

商品参数

商品概述

美光零总线反转（ZBT）SRAM系列采用高速、低功耗CMOS设计，运用先进的CMOS工艺。MT55L128L18P1和MT55L64L32/36P1 SRAM将128K x 18、64K x 32或64K x 36 SRAM内核与先进的同步外围电路和2位突发计数器集成在一起。这些SRAM针对100%总线利用率进行了优化，消除了从读到写或从写到读转换的反转周期。所有同步输入都通过由正边沿触发的单时钟输入（CLK）控制的寄存器。同步输入包括所有地址、所有数据输入、芯片使能（CE#）、用于轻松扩展深度的两个额外芯片使能（CE2、CE2#）、周期启动输入（ADV/LD#）、同步时钟使能（CKE#）、字节写使能（BWa#、BWb#、BWc#和BWd#）以及读/写（R/W#）。异步输入包括输出使能（OE#，可接地以最小化控制信号）、时钟（CLK）和休眠使能（ZZ，若未使用可接地）。还有一个突发模式引脚（MODE），用于在交错和线性突发模式之间进行选择。若不使用突发模式，MODE可接高电平、低电平或不连接。由OE#使能的数据输出（Q）由CLK的上升沿锁存。写周期的宽度可以是1到4个字节，由写控制输入控制。所有读、写和取消选择周期都由ADV/LD#输入启动。后续的突发地址可以由突发推进引脚（ADV/LD#）控制在内部生成。突发模式的使用是可选的。允许为每个单独的读和写周期提供一个地址。突发周期在从基地址进行第四次访问后循环。为了允许数据总线连续100%使用，流水线ZBT SRAM使用后期写周期。地址和写控制在片上锁存以简化写周期，这允许自定时写周期。单个字节使能允许写入单个字节。美光的2Mb ZBT SRAM由+3.3V VDD电源供电，所有输入和输出都与LVTTL兼容。该器件非常适合需要高带宽和零总线反转延迟的系统。

商品特性

高频和100%总线利用率
快速周期时间：7.5ns和10ns
单一+3.3V ±5%电源
先进的控制逻辑，实现最小控制信号接口
单个字节写控制可接地
单个R/W#（读/写）控制引脚
CKE#引脚用于启用时钟和暂停操作
三个芯片使能，便于简单的深度扩展
时钟控制和寄存的地址、数据I/O和控制信号
内部自定时、完全连贯的写操作
内部自定时、寄存输出，无需控制OE#
休眠模式，用于降低功耗待机
通用数据输入和数据输出
线性或交错突发模式
突发功能（可选）
引脚/功能与4Mb、8Mb和16Mb ZBT SRAM兼容
100引脚TQFP封装
自动掉电

应用领域

高带宽系统
零总线反转延迟系统

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	静态随机存取存储器(SRAM)
	接口类型	并口(Parallel)
	存储容量	2Mbit

	属性	参数值
	工作电压	3.135V~3.465V
	工作温度	0℃~+70℃
	功能特性	自动掉电功能