MT58V512V32FT-7.5
MT58V512V32FT-7.5
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- 品牌名称
- micron(镁光)
- 商品型号
- MT58V512V32FT-7.5
- 商品编号
- C7235799
- 商品封装
- TQFP-100(14x20.1)
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静态随机存取存储器(SRAM) | |
| 接口类型 | 并口(Parallel) | |
| 存储容量 | 18Mbit |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电压 | 2.375V~2.625V | |
| 工作温度 | 0℃~+70℃ | |
| 功能特性 | 自动掉电功能；边界扫描(JTAG)功能 |
商品概述
美光SyncBurst SRAM系列采用高速、低功耗CMOS设计，通过先进的CMOS工艺制造。美光的18Mb SyncBurst SRAM将1M x 18、512K x 32或512K x 36 SRAM内核与先进的同步外围电路和2位突发计数器集成在一起。所有同步输入都通过由正边沿触发的单时钟输入（CLK）控制的寄存器。同步输入包括所有地址、所有数据输入、低电平有效芯片使能（CE#）、两个用于轻松扩展深度的附加芯片使能（CE2#、CE2）、突发控制输入（ADSC#、ADSP#、ADV#）、字节写入使能（BWx#）和全局写入（GW#）。异步输入包括输出使能（OE#）、时钟（CLK）和休眠使能（ZZ）。还有一个突发模式输入（MODE），用于在交错和线性突发模式之间进行选择。数据输出（Q）由OE#使能。写入周期可以是1到2字节宽（x18）或1到4字节宽（x32/x36），由写入控制输入控制。突发操作可以通过地址状态处理器（ADSP#）或地址状态控制器（ADSC#）输入启动。后续的突发地址可以由突发推进输入（ADV#）控制在内部生成。地址和写入控制在片上寄存，以简化写入周期，允许自定时写入周期。单个字节使能允许写入单个字节。该器件非常适合486、奔腾、680x0和PowerPC系统以及受益于宽同步数据总线的系统。该器件也适用于通用的16位、18位、32位、36位、64位和72位应用。3.3V VDD器件经过3.3V和2.5V I/O功能测试，2.5V VDD器件仅经过2.5V I/O功能测试。
商品特性
- 快速时钟和OE#访问时间
- 单个3.3V ± 5%或2.5V ± 5%电源
- 独立的3.3V ± 5%或2.5V ± 5%隔离输出缓冲电源（VDDQ）
- 具有用于降低功耗待机的休眠模式
- 通用数据输入和数据输出
- 单个字节写入控制和全局写入
- 三个芯片使能，便于进行深度扩展和地址流水线操作
- 时钟控制和寄存的地址、数据I/O和控制信号
- 内部自定时写入周期
- 突发控制（交错或线性突发）
- 低电容总线负载
应用领域
- 486系统
- 奔腾系统
- 680x0系统
- PowerPC系统
- 通用位宽应用