MT57V512H36AF-7.5
MT57V512H36AF-7.5
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- micron(镁光)
- 商品型号
- MT57V512H36AF-7.5
- 商品编号
- C7235768
- 商品封装
- FBGA-165(13x15)
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静态随机存取存储器(SRAM) | |
| 存储容量 | 18Mbit | |
| 工作电压 | 2.4V~2.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作温度 | 0℃~+70℃ | |
| 功能特性 | 边界扫描(JTAG)功能 |
商品概述
美光DDR同步SRAM采用高速、低功耗CMOS设计，运用先进的6T CMOS工艺。该DDR SRAM将18Mb SRAM内核与先进的同步外围电路和2位突发计数器集成在一起。所有同步输入通过由输入时钟对（K和K#）控制的寄存器，并在K和K#的上升沿锁存。同步输入包括所有地址、所有数据输入、低电平有效负载（LD#）和读/写（R/W#）。写数据在K和K#的上升沿寄存。如果提供C和C#，读数据在C和C#的上升沿驱动；如果未提供C和C#，则在K和K#的上升沿驱动。异步输入包括阻抗匹配（ZQ）。同步数据输出（Q）与两个回波时钟（CQ和CQ#）紧密匹配，可作为数据接收时钟。还提供输出数据时钟（C和C#），以实现最大的系统时钟和数据同步灵活性。该器件采用额外的写寄存器来增强流水线写周期并减少读-写转换时间。写周期是自定时的。该器件不使用内部锁相环，因此可以进入时钟停止状态以最小化功耗，且无需长时间重启。该器件可通过提供适当的参考电压（VREF）用于HSTL系统，非常适合需要非常快速数据传输的应用，也适用于需要流水线CMOS SRAM成本优势和后期写SRAM减少读-写转换时间的应用。该SRAM由2.5V电源供电，所有输入和输出都与HSTL兼容，非常适合缓存、网络、电信、DSP和其他受益于非常宽、高速数据总线的应用。
商品特性
- 快速周期时间
- 流水线式双倍数据速率操作
- 单2.5V ± 0.1V电源（VDD）
- 独立的隔离输出缓冲电源（VDDQ）
- JEDEC标准1.5V至1.8V（±0.1V）HSTL I/O
- 可通过VREF选择用户触发点
- HSTL可编程阻抗输出与可选双数据时钟同步
- 可选回波时钟（CQ和CQ#）用于灵活的接收数据同步
- JTAG边界扫描
- 全静态设计以降低待机功耗
- 时钟停止功能
- 公共数据输入和数据输出
- 低控制焊球数量
- 内部自定时、带寄存器的后期写周期
- 线性突发顺序，带四节拍突发计数器
- 13mm x 15mm、1mm间距、11 x 15网格FBGA封装
- 全数据一致性，提供最新数据
应用领域
- 缓存
- 网络
- 电信
- DSP