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MT58L64L36DT-10

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品牌名称: micron(镁光)
商品型号: MT58L64L36DT-10
商品编号: C7235794
商品封装: TQFP-100(14x20.1)
包装方式: 袋装
商品毛重: 1克(g)

商品参数

商品概述

美光SyncBurst™ SRAM系列采用高速、低功耗CMOS设计，通过先进的CMOS工艺制造。2Mb SyncBurst SRAM将128K x 18、64K x 32或64K x 36 SRAM内核与先进的同步周边电路和2位突发计数器集成。所有同步输入通过由正边沿触发的单时钟输入（CLK）控制的寄存器。同步输入包括所有地址、所有数据输入、低电平有效片选（CE#）、用于轻松扩展深度的两个额外片选（CE2、CE2#）、突发控制输入（ADSC#、ADSP#、ADV#）、字节写入使能（BWx#）和全局写入（GW#）。异步输入包括输出使能（OE#）、时钟（CLK）和休眠使能（ZZ）。还有一个突发模式引脚（MODE）用于选择交错和线性突发模式。数据输出（Q）由OE#使能，也是异步的。写入周期宽度可以是一到两个字节（x18）或一到四个字节（x32/x36），由写入控制输入控制。突发操作可以由地址状态处理器（ADSP#）或地址状态控制器（ADSC#）输入引脚启动。后续突发地址可以由突发推进引脚（ADV#）控制内部生成。地址和写入控制在片上寄存以简化写入周期，允许自定时写入周期。该器件采用额外的流水线使能寄存器，在执行取消选择时延迟一个周期关闭输出缓冲器，此功能允许深度扩展而不影响系统性能。美光2Mb SyncBurst SRAM由+3.3V VDD电源供电，所有输入和输出与TTL兼容。该器件非常适合奔腾和PowerPC流水线系统以及受益于非常宽、高速数据总线的系统，也适用于通用的16、18、32、36、64和72位宽应用。

商品特性

快速时钟和OE#访问时间
单+3.3V ± 0.3V / - 0.165V电源（VDD）
独立的+3.3V隔离输出缓冲器电源（VDDQ）
具有用于降低功耗待机的休眠模式
共用数据输入和数据输出
独立字节写入控制和全局写入
三个片选使能，便于简单的深度扩展和地址流水线操作
时钟控制和寄存的地址、数据I/O和控制信号
内部自定时写入周期
突发控制引脚（交错或线性突发）
自动掉电
100引脚TQFP封装
低电容总线负载
提供x18、x32和x36选项

应用领域

奔腾和PowerPC流水线系统
高速数据总线系统
16位宽应用
32位宽应用
72位宽应用

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	静态随机存取存储器(SRAM)
	接口类型	并口(Parallel)
	存储容量	2Mbit

	属性	参数值
	工作电压	3.135V~3.6V
	工作温度	0℃~+70℃
	功能特性	自动掉电功能