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TPM4816BS8
N沟道 30V 11.2A
- 描述
- 特性：Q1：N沟道30V/7A，导通电阻RDS(ON) = 10mΩ（典型值，VGS = 10V），RDS(ON) = 24mΩ（典型值，VGS = 4.5V）。 Q2：N沟道30V/11.2A，导通电阻RDS(ON) = 10mΩ（典型值，VGS = 10V），RDS(ON) = 14mΩ（典型值，VGS = 4.5V）。 肖特基二极管：Vds = 30V，IF = 2.0A，VsD = 0.5V@1.0A。应用：同步降压转换器。 游戏机
- 品牌名称
- TECH PUBLIC(台舟)
- 商品型号
- TPM4816BS8
- 商品编号
- C7202973
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.6032克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V；30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11.2A；7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@10V；19mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA；1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@4.5V；16nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.61nF；880pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 160pF；90pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 255pF；125pF |
商品概述
这款MOSFET专为满足汽车应用的严苛要求而设计。它通过了AEC-Q101认证，并提供生产件批准程序（PPAP）文件。
商品特性
- 额定温度高达+175°C，非常适合高温环境
- 生产过程中进行100%非钳位电感开关（UIS）测试，确保终端应用更可靠、更耐用
- 高转换效率
- 低导通电阻RDS(ON)，可将功率损耗降至最低
- 可焊侧翼设计，便于光学检测
- 开关速度快
- 输入电容低
- 无铅涂层，符合RoHS标准
- 无卤素和锑，属于“绿色”器件
- 适用于需要特定变更控制的汽车应用；该产品通过AEC-Q101认证，可提供PPAP文件，并在通过IATF 16949认证的工厂生产
应用领域
- 高频开关-同步整流-DC-DC转换器