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TPM4816BS8
N沟道 30V 11.2A
- 描述
- 特性：Q1：N沟道30V/7A，导通电阻RDS(ON) = 10mΩ（典型值，VGS = 10V），RDS(ON) = 24mΩ（典型值，VGS = 4.5V）。 Q2：N沟道30V/11.2A，导通电阻RDS(ON) = 10mΩ（典型值，VGS = 10V），RDS(ON) = 14mΩ（典型值，VGS = 4.5V）。 肖特基二极管：Vds = 30V，IF = 2.0A，VsD = 0.5V@1.0A。应用：同步降压转换器。 游戏机
- 品牌名称
- TECH PUBLIC(台舟)
- 商品型号
- TPM4816BS8
- 商品编号
- C7202973
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.6032克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V；30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11.2A；7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@10V；19mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V；1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@4.5V；16nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.61nF；880pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 160pF；90pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 255pF；125pF |
商品概述
这款MOSFET专为满足汽车应用的严苛要求而设计。它通过了AEC-Q101认证，并提供生产件批准程序（PPAP）文件。
商品特性
- Q1:N沟道
- 30V/7A
- 当VGS = 10V时,RDS(ON) = 19mΩ(典型值)
- 当VGS = 4.5V时,RDS(ON) = 24mΩ(典型值)
- Q2:N沟道
- 30V/11.2A
- 当VGS = 10V时,RDS(ON) = 10mΩ(典型值)
- 当VGS = 4.5V时,RDS(ON) = 14mΩ(典型值)
- 肖特基二极管
- Vds = 30V,IF = 2.0A
- 当电流为1.0A时,Vsd为0.5V
应用领域
-同步降压转换器-游戏机-笔记本电脑