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TPSI4816BDY-T1-GE3实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

TPSI4816BDY-T1-GE3

2个N沟道 耐压:30V 电流:11.2A

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描述
特性:Q1:N沟道,30V/7A,RDS(ON) = 19mΩ(典型值)@VGS = 10V,RDS(ON) = 24mΩ(典型值)@VGS = 4.5V。 Q2:N沟道,30V/11.2A,RDS(ON) = 10mΩ(典型值)@VGS = 10V,RDS(ON) = 14mΩ(典型值)@VGS = 4.5V。 肖特基:Vds = 30V,IF = 2.0A,VsD:0.5V@1.0A。应用:同步降压转换器。 游戏机
商品型号
TPSI4816BDY-T1-GE3
商品编号
C7202993
商品封装
SOP-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.180333克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量2个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)11.2A
导通电阻(RDS(on))14mΩ@4.5V,7A
耗散功率(Pd)800mW
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1V
栅极电荷量(Qg)16nC@15V
输入电容(Ciss)1.61nF
反向传输电容(Crss)160pF@15V
工作温度-55℃~+150℃

数据手册PDF

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购买数量

(3000个/圆盘,最小起订量 1 个)
起订量:1 个3000个/圆盘

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